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FDGタイプ 低価格・中速SIP固定ディレイライン
FDGタイプは、エルメックが得意とする高速ディレイラインの構造を基に、内部素子の区間数だけを1/2～1/3程度に減らした、中速域のSIP固定ディレイラインです。
区間数を減らした事により、通過帯域はFDC/FDDタイプの約半分と狭くなりますが、その分安価にてご提供可能です。 クロック1/2周期以内の調整であればFDGタイプで充分対応可能です。
本製品は、RoHS対応品で、端子はNi下地Snメッキとなっております。
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動作規格
| インピーダンス: |
FDG1E205のみ50W±10%
上記以外の品番は100W±10%
200Wで25nsまで、500W であれば10nsまで設計可能ですので、回路の低消費電力化等の目的でより高いインピーダンスのディレイラインをお探しの場合はお気軽にご相談下さい。 |
| 波形歪: |
オーバーシュート / プリシュート ±20%未満 |
| 遅延時間温度係数: |
-50 ～ +200ppm /°C |
| 絶縁抵抗: |
DC50V, 100MW以上 |
| 耐圧: |
DC50V, 1 分間 |
| 動作温度範囲: |
-40°C ～ +85°C |
| 保存温度範囲: |
-40°C ～ +120°C |
| 品番 |
遅延時間 |
出力立上り時間
(20%～80%) |
-3 dB通過帯域
(保証値) |
直流抵抗 |
電子データ |
| FDG1010 |
1ns ±0.2ns |
0.6ns Max |
DC～600MHz |
1.0Ω Max |
E S T |
| FDG2010 |
2ns ±0.2ns |
0.6ns Max |
DC～600MHz |
1.0Ω Max |
E S T |
| FDG3010 |
3ns ±0.3ns |
0.9ns Max |
DC～400MHz |
1.0Ω Max |
E S T |
| FDG4010 |
4ns ±0.3ns |
1.2ns Max |
DC～300MHz |
1.0Ω Max |
E S T |
| FDG5010 |
5ns ±0.4ns |
1.4ns Max |
DC～250MHz |
1.5Ω Max |
E S T |
| FDG6010 |
6ns ±0.5ns |
1.8ns Max |
DC～200MHz |
1.5Ω Max |
E S T |
| FDG7010 |
7ns ±0.5ns |
2.0ns Max |
DC～180MHz |
1.5Ω Max |
E S T |
| FDG8010 |
8ns ±0.6ns |
2.4ns Max |
DC～150MHz |
2.0Ω Max |
E S T |
| FDG9010 |
9ns ±0.7ns |
2.5ns Max |
DC～140MHz |
2.0Ω Max |
E S T |
| FDG10010 |
10ns ±0.7ns |
3.0ns Max |
DC～120MHz |
2.0Ω Max |
E S T |
| FDG11010 |
11ns ±0.8ns |
3.2ns Max |
DC～110MHz |
2.5Ω Max |
E S T |
| FDG12010 |
12ns ±0.9ns |
3.5ns Max |
DC～100MHz |
2.5Ω Max |
E S T |
| FDG13010 |
13ns ±1.0ns |
3.7ns Max |
DC～95MHz |
2.5Ω Max |
E S T |
| FDG15010 |
15ns ±1.1ns |
4.2ns Max |
DC～85MHz |
2.5Ω Max |
E S T |
| FDG16010 |
16ns ±1.2ns |
4.4ns Max |
DC～80MHz |
3.0Ω Max |
E S T |
| FDG18010 |
18ns ±1.3ns |
5.0ns Max |
DC～70MHz |
4.0Ω Max |
E S T |
| FDG20010 |
20ns ±1.4ns |
5.5ns Max |
DC～65MHz |
4.5Ω Max |
E S T |
| FDG22010 |
22ns ±1.6ns |
5.5ns Max |
DC～65MHz |
4.5Ω Max |
E S T |
| FDG25010 |
25ns ±1.8ns |
7.0ns Max |
DC～50MHz |
10.0Ω Max |
E S T |
| FDG30010 |
30ns ±2.1ns |
9.0ns Max |
DC～40MHz |
15.0Ω Max |
E S T |
| FDG35010 |
35ns ±2.5ns |
10.0ns Max |
DC～35MHz |
17.0Ω Max |
E S T |
| FDG40010 |
40ns ±2.8ns |
12.0ns Max |
DC～30MHz |
18.0Ω Max |
E S T |
| FDG45010 |
45ns ±3.2ns |
14.0ns Max |
DC～25MHz |
19.0Ω Max |
E S T |
| FDG50010 |
50ns ±3.5ns |
18.0ns Max |
DC～20MHz |
21.0Ω Max |
E S T |
| FDG1E205 |
100ns ±7.0ns |
35.0ns Max |
DC～10MHz |
21.0Ω Max |
E S T |
電子データE、SおよびTは下記のとおり
E…Excelマクロによる周波数特性、パルス応答描画プログラムを提供可能
S…SPICEモデルを提供可能
T…Touchstone formatによるSパラメータデータを提供可能 |
上記データはメールにて御請求下さい
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単位: mm(inch)
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はんだ付け条件
フローはんだ : 260°C、10秒以内
はんだ鏝 : 350°C、5秒以内
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(1) アナログ回路
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r: 信号源のインピーダンス
Rin: 入力整合抵抗
Zo: 内部素子のインピーダンス
=出力インピーダンス
Ro: 内部整合抵抗=Zo
r+Rin=Zo=R
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(2) ECL (-2V終端ライン使用)
Vcc,VEE,-2Vのいずれかの電圧ラインへ接続
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(3) PECL
Vcc,VEEのいずれかの電圧ラインへ接続
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(4) LVPECL
3.3V,GNDのいずれかの電圧ラインへ接続
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(5) TTL (FAST), CMOS (FACT)
Ro≒Zoですが、多少の調整が必要です
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FDG10010
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ステップ応答
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S21 通過振幅特性
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50MHz クロック応答
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群遅延特性
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FDG20010
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ステップ応答
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S21 通過振幅特性
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25MHz クロック応答
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群遅延特性
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FDG50010
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ステップ応答
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S21 通過振幅特性
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10MHz クロック応答
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群遅延特性
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対応状況
発売当初より、RoHS対応品です。
端子のメッキ仕様
Ni下地 、Sn メッキ
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